물자 | 99.99% |
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가벼운 투과율 | 92% |
조밀도 | 2.2g/cm3 |
작동 Temparature | 1100℃ |
경도 | 모스 6.5 |
물자 | SiO2 |
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경도 | 모스 6.5 |
작동 온도 | 1100℃ |
지상 질 | 20/40 40/60 |
Dieletric 힘 | 250~400Kv/cm |
물자 | SIO2>99.999% |
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조밀도 | 2.2 (g/cm3) |
가벼운 투과율 | >92% |
경도 | 모스 6.5 |
작동 온도 | 1100℃ |
이름 | 고온 석영 유리판 |
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종류 | 석영 판을 깨끗이 하세요 |
적용 | 광학적인 반도체 |
두께 | 0.5-100mm |
형태 | 사각형 |
종류 | 석영 판을 깨끗이 하세요 |
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적용 | 광학적인 반도체 |
두께 | 0.5-100mm |
형태 | 사각형 |
처리 서비스 | 강타하면서, 잘리기 |
종류 | 석영 판을 깨끗이 하세요 |
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적용 | 광학적인 반도체 |
두께 | 3-100mm |
형태 | 사각형 |
처리 서비스 | 강타하면서, 잘리기 |
상품 이름 | 석영 유리 접시 |
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재료 | 99.99% |
가벼운 투과율 | 92 % |
비중 | 2.2g/cm3 |
작동 Temparature | 1100℃ |
종류 | 석영 판을 깨끗이 하세요 |
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적용 | 광학적인 반도체 |
두께 | 0.5-100mm |
형태 | 사각형 |
처리 서비스 | 강타하면서, 잘리기 |
상품 이름 | 석영 유리판 |
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재료 | Sio2 |
작동 Temparature | 1200℃ |
용해 포인트 | 1850℃ |
형태 | 사각/둥근/어떤 모양 |
Name | High Temperature Quartz Glass Plate |
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Type | Clear Quartz Plate |
Application | Semiconductor, optical |
Thickness | 0.5-100mm |
Shape | Square |