| 유형 | 클리어 쿼츠 플레이트 |
|---|---|
| 신청 | 반도체, 광학 |
| 두께 | 0.5-100mm |
| 모양 | 정사각형 |
| 처리 서비스 | 굽힘, 용접, 펀칭, 절단, 연마 |
| 종류 | 얼어붙은 쿼츠판 |
|---|---|
| 적용 | 광학적인 반도체 |
| 두께 | 0.5-100mm |
| 형태 | 단계 |
| 처리 서비스 | 굽힘, 용접, 펀칭, 연마 |
| 물자 | SiO2 |
|---|---|
| 경도 | 모스 6.5 |
| 작동 온도 | 1200℃ |
| 지상 질 | 20/40 40/60 |
| Dieletric 힘 | 250~400Kv/cm |
| 물자 | SiO2 |
|---|---|
| 경도 | 모스 6.5 |
| 작동 온도 | 1100℃ |
| 지상 질 | 20/40 40/60 |
| Dieletric 힘 | 250~400Kv/cm |
| 물자 | SiO2 |
|---|---|
| 경도 | 모스 6.5 |
| 작동 온도 | 1100℃ |
| 지상 질 | 20/40 40/60 |
| Dieletric 힘 | 250~400Kv/cm |
| 유형 | 석영 판을 깨끗이 하세요 |
|---|---|
| 신청 | 광학적인 반도체 |
| 두께 | 0.5-100mm |
| 모양 | 정사각형 |
| 처리 서비스 | 굽힘, 용접, 펀칭, 광택이 난 절단 |
| 종류 | 얼어붙은 쿼츠판 |
|---|---|
| 적용 | 광학적인 반도체 |
| 두께 | 0.5-100mm |
| 형태 | 단계 |
| 처리 서비스 | 굽힘, 용접, 펀칭, 연마 |
| 물자 | SiO2 |
|---|---|
| 경도 | 모스 6.5 |
| 작동 온도 | 1200℃ |
| 지상 질 | 20/40 40/60 |
| Dieletric 힘 | 250~400Kv/cm |
| 물자 | SiO2 |
|---|---|
| 경도 | 모스 6.5 |
| 작동 온도 | 1100℃ |
| 지상 질 | 20/40 40/60 |
| Dieletric 힘 | 250~400Kv/cm |
| 물자 | SiO2 |
|---|---|
| 경도 | 모스 6.5 |
| 작동 온도 | 1200℃ |
| 지상 질 | 20/40 40/60 |
| Dieletric 힘 | 250~400Kv/cm |
