| 물자 | SIO2>99.99% |
|---|---|
| 조밀도 | 2.2g/cm3 |
| 경도 | 모스 6.5 |
| 용해 점 | 1750-1850℃ |
| 작동 온도 | 1110℃ |
| 종류 | 쿼츠 웨이퍼 운반기 |
|---|---|
| 적용 | 광학적인 반도체 |
| 두께 | 0.5-100mm |
| 형태 | 사각형 |
| 처리 서비스 | 굽힘, 용접, 펀칭, 연마 |
| 종류 | 석영 판을 깨끗이 하세요 |
|---|---|
| 적용 | 광학적인 반도체 |
| 두께 | 0.5-100mm |
| 형태 | 라운드 스퀘어 / |
| 처리 서비스 | 굽힘, 용접, 펀칭, 연마 |
| 물자 | SiO2 |
|---|---|
| 경도 | 모스 6.5 |
| 작동 온도 | 1200℃ |
| 지상 질 | 20/40 40/60 |
| Dieletric 힘 | 250~400Kv/cm |
| 상품 이름 | 실험 실시약 병 |
|---|---|
| 재료 | SIO2>99.9% |
| 비중 | 2.2g/cm3 |
| 작동 온도 | 1100C |
| 산내성 | 스테인레스 강 보다 Ceramics,150 시간 보다 30 배 |
| 종류 | 석영 판을 깨끗이 하세요 |
|---|---|
| 적용 | 광학적인 반도체 |
| 두께 | 0.5-100mm |
| 형태 | 사각형 |
| 처리 서비스 | 굽힘, 용접, 펀칭, 연마 |
| 종류 | 투명 석영관 |
|---|---|
| 적용 | 광학적인 반도체 |
| 두께 | 0.5-100mm |
| 형태 | 반구형 |
| 처리 서비스 | 굽힘, 용접, 펀칭, 연마 |
| 종류 | 석영 판을 깨끗이 하세요 |
|---|---|
| 적용 | 광학적인 반도체 |
| 두께 | 0.5-100mm |
| 형태 | 사각형 |
| 처리 서비스 | 굽힘, 용접, 펀칭, 연마 |
| 물자 | SiO2 |
|---|---|
| 경도 | 모스 6.5 |
| 작동 온도 | 1100℃ |
| 지상 질 | 20/40 40/60 |
| Dieletric 힘 | 250~400Kv/cm |
| 물자 | SiO2 |
|---|---|
| 경도 | 모스 6.5 |
| 작동 온도 | 1100℃ |
| 지상 질 | 20/40 40/60 |
| Dieletric 힘 | 250~400Kv/cm |
